国际前沿科技新闻 氮化镓晶圆制造 9月3日,氮化镓晶体管的一项海外研究成果刊发于《自然·电子学》。新型器件实现接近4000伏耐压,同时降低导通损耗,面向AI算力中心、新能源车、光伏变流器等高压电力电子场景。目前成果处于实验室阶段,距离产业化的工程验证、可靠性测试还有较长周期。氮化镓射频芯片 氮化镓GaN 砷化镓芯片



国际前沿科技新闻 氮化镓晶圆制造 9月3日,氮化镓晶体管的一项海外研究成果刊发于《自然·电子学》。新型器件实现接近4000伏耐压,同时降低导通损耗,面向AI算力中心、新能源车、光伏变流器等高压电力电子场景。目前成果处于实验室阶段,距离产业化的工程验证、可靠性测试还有较长周期。氮化镓射频芯片 氮化镓GaN 砷化镓芯片


