光刻胶产业链

光刻胶（光阻）是微电子制造的核心感光材料，相当于芯片制造的 “底片”，通过曝光‑显影把掩膜版图形转移到晶圆表面，属于电子化学品皇冠明珠。整体链条：上游核心原材料 → 中游光刻胶成品制造 → 下游三大应用市场。

一、原材料（最大卡脖子环节）

光刻胶四大组分：树脂、光致产酸剂 PAG（光引发剂）、高纯溶剂、功能性添加剂

树脂占成本约 50%，PAG 约 15‑20%；材料性能决定 70% 光刻胶成品质量

1. 感光树脂（成膜骨架）

g/i 线：酚醛树脂；KrF：PHS 聚羟基苯乙烯；ArF：脂环族丙烯酸树脂；EUV 专用树脂海外：住友化学、东洋合成、三菱化学国内：圣泉集团（g/i 线树脂）、八亿时空（KrF 树脂）、徐州博康（KrF/ArF 单体树脂）

2. 光致产酸剂 PAG（感光核心）曝光后释放酸，驱动树脂发生化学反应；高端 PAG 纯度要求 ppb 级金属杂质控制。

海外：巴斯夫、IGM国内：强力新材、扬帆新材、徐州博康

3. 高纯溶剂主流 PGMEA、乳酸乙酯 EL，占光刻胶质量 80‑90%，用于溶解、调粘度、均匀涂布。国内电子级高纯溶剂逐步实现国产化。4. 添加剂：稳定剂、流平剂、抑制剂，调节胶层平整度、储存稳定性。

配套设备：涂胶显影机、高纯过滤、提纯设备；涂胶显影与光刻胶工艺深度绑定。

二、光刻胶成品制造（配方 + 合成 + 纯化）

按应用分为PCB 光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶三大类；半导体光刻胶按曝光波长分 4 档，壁垒逐级抬升

1）PCB 光刻胶（低端）

产品：干膜光刻胶、湿膜光刻胶、阻焊油墨国内企业：容大感光、广信材料、迪爱生；国内自给率高。

2）LCD 显示光刻胶（中端）

产品：彩色光刻胶、黑色矩阵光刻胶、TFT 光刻胶海外：JSR、东京应化、住友；国内：彤程新材（北旭电子）、鼎龙股份。

3）半导体光刻胶（高端，按波长分级）

类型，波长，适配制程，国产化现状，代表国内厂商

G/I 线：436/365nm，≥350nm 成熟制程、功率器件，已规模化国产，北京科华、晶瑞电材、容大感光

KrF：248nm，180‑90nm，存储、车规芯片 | 放量验证阶段，国产化率约 40%，彤程新材（北京科华）、晶瑞电材、鼎龙股份

ArF 干式：浸没式，193nm，65‑14nm 先进逻辑/存储，小批量，国产化率很低，南大光电、鼎龙股份、上海新阳

EUV：13.5nm，7nm 及以下超先进制程，国内实验室预研，完全依赖海外，暂无量产企业

全球海外龙头：JSR、东京应化、信越化学、富士胶片、住友化学，日系厂商垄断全球高端半导体光刻胶 80% 以上市场36氪。

三、下游应用

1. 半导体晶圆制造（最大高价值市场）逻辑芯片、存储芯片、功率半导体、先进封装；AI 算力芯片拉动 ArF/KrF 需求；主要客户：中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹等。2. 平板显示LCD、OLED，彩色滤光片、黑色矩阵、TFT 电路图形制备。3. PCB 印制电路板消费电子、汽车电子、通信板卡，用量最大、单价最低。

四、行业核心壁垒

1. 原材料壁垒：KrF/ArF/EUV 高端树脂、PAG 合成纯化难度极高，过去高度依赖进口。2. 配方黑箱：数千种组分调配，批次一致性、颗粒与金属离子控制要求极高。3. 长周期客户验证：晶圆厂验证周期普遍 12‑36 个月，一旦导入切换成本极高。4. 工艺匹配壁垒：光刻胶需要和光刻机、涂胶显影设备、显影液整套工艺联合适配。

五、国产替代主线

国内路径：PCB 光刻胶 → 面板光刻胶 → G/I 线半导体光刻胶 → KrF 光刻胶放量 → ArF 小批量导入 → 向上游树脂 / PAG 同步突破；EUV 尚处于研发阶段。代表产业链公司：

上游原料：徐州博康、强力新材、八亿时空、圣泉集团中游成品：南大光电、彤程新材（北京科华）、晶瑞电材、鼎龙股份、上海新阳、容大感光