中国半导体设备迎来重大突破，不依靠EUV光刻机也能够制造出顶尖的存储芯片！近日，国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发表一篇学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破！3D DRAM将是下一代存储芯片的主要发展路径，也是突破摩尔定律的主要出路之一，3D DRAM的核心理念是将晶体管从传统的二维平面微缩转向三维垂直堆叠，通过层层堆叠晶体管来提高存储单元密度，从而降低对先进光刻机的依赖度。但是这种技术有一个致命的问题，在硅于硅锗层交替堆叠的过程当中，需要将硅锗层精准刻蚀剥离，在留下的硅层空隙中构建字线、位线和栅极等微观结构，但是高深宽比结构下的横向选择性刻蚀极易导致硅骨架受损或各层刻蚀不均匀，从而影响产品的性能和良率，这一直以来都是行业的难题。对此，北方华创设计了两步循环刻蚀技术，将工艺切成"刻"与"清"两个阶段循环迭代，第一阶段利用无偏置的电中性氟自由基对硅锗层进行定点刻蚀，第二阶段再引入反应气体清理底部副产物沉积，确保刻蚀气体垂直纵深穿透，通过采用这种技术，他们在交替层堆叠结构中实现了超过95%的结构均匀度，这将可以大大提升3D堆叠的良品率，如果这种技术能够使用在国产存储芯片制造中，那就可以降低对EUV光刻机的依赖。目前全球最顶尖的芯片基本上都是靠EUV光刻机制造出来的，包括台积电，三星，sk海力士等等都有先进的光刻机，这也是他们能够持续处于全球领先的重要底气，而中国无法从外部进口EUV光刻机，而国产EUV光刻机又迟迟没法突破，所以目前国内都是通过自身的工艺改进来弥补光刻机不足的局面。对于中国半导体设备这种困境，甚至连欧洲一些国家都说我们落后他们十几年，比如前几天，蔡司有一位半导体负责人就说中国半导体设备比先进水平落后了15年以上，这背后的原因就是我们没有EUV光刻机。但中国人偏偏不信邪，没有EUV光刻机，并不代表我们无法制造出先进的芯片，因为半导体本身的发展路径不是唯一的，既然我们无法在平面上取得突破，那我们就向空间突破，通过3D堆叠来实现整体性能的提升本身也是一个很重要的突破。如果中国能够在3D堆叠技术上持续取得突破，从设备到技术到工艺都能够不断完善和提升，那我们对EUV光刻机的依赖度将会大大降低，国产半导体的工艺跟欧美先进水平的差距会逐渐缩小的。平面设计传统手工艺财经半导体