半导体设备迎来技术催化，关注板块情绪变化国内半导体设备龙头北方华创近期在IEEE期刊刊发论文，公布3D DRAM工艺重要进展，自研两步循环刻蚀工艺，有望为长鑫存储探索新路线，推进3D DRAM自主研发。这项工艺属于实验室层面的技术突破，给国产存储避开EUV封锁提供一条新的思路，也是国产替代进程里一个重要信号。不过论文成果不等于马上落地量产，距离产线验证、大规模投产还有一段距离。消息具备较强情绪催化，明天半导体设备、芯片赛道大概率容易高开。但也要留意，如果开盘直接大幅冲高，很容易出现资金兑现、高开低走的走势，节奏上需要多加留意。⚠️温馨提示：以上仅公开资讯梳理，不构成任何投资建议。