韩媒：三星、SK海力士内存库存，不足10天！
随着 AI 基础建设投资加速，内存供给吃紧程度进一步升高。韩媒传出，截至第三季，三星电子与 SK 海力士的内存库存已降至不到 10 天。分析师警告，随着新一代高带宽内存「 HBM4 」量产排挤传统 DRAM 产能。

据韩媒 BusinessKorea 报导，韩国证券机构 KB Securities 7 日发表研究报告指出，全球超大规模云端业者明年对 AI 基础建设的投资预估已上修至 1.3 兆美元，年增 60% 。

内存在 AI 基础建设支出的占比也快速攀升。 KB Securities 估计，内存明年将占 AI 基础建设总投资 57% ，远高于去年的 14% 。

厂商转而生产 HBM4 ，是导致供应短缺的关键因素。报告指出， HBM4 所需晶圆产能约为一般 DRAM 的三倍，在晶圆产能有限之下， HBM4 全面扩产势必压缩传统 DRAM 可用产能。 KB Securities 因此估计，明年 DRAM 与 NAND 型闪存的位需求成长率，都将比供给成长率超过逾 10 个百分点。


根据报导，截至 Q3 ，三星、 SK 海力士的内存库存天数已剩下不到 10 天。 KB Securities 研究部主管 Kim Dong-won 指出，这已不只是需求复苏问题，市场可能面临可销售库存耗尽的窘境。 AI 服务器除了大量吸收 HBM ，也将同步拉动服务器 DDR5 及企业级 SSD 需求，内存市场可能迎来「历史性短缺」。
美光据传正在投入资金扩产 HBM ，想要追上 SK 海力士与三星的产能，以提升 12 层堆栈 HBM4 的供应能力。

J.Gold Associates 首席分析师 Jack Gold 表示，尽管美光、 SK 海力士与三星均已宣布扩产计划，但整个过程仍需耗时数年，这促使企业将现有产能从成本较低的内存转向 HBM ，进一步加剧供应吃紧的情况。

D.A. Davidson 董事总经理 Gil Luria 则表示，需求「目前已超过现有供给的两倍，而且仍在快速成长」。因此，即使美光提高 HBM 产能，「在这段期间内，产能可能仍不足以满足需求」。

根据 TrendForce 集邦咨询最新存储器产业研究， 2026 年第二季由于 Conventional DRAM （一般型 DRAM ）合约价显著上涨，推升整体 DRAM 产业营收季增 59.5% ，近 1,547.3 亿美元。

随着 LLM 模型训练、 AI 推理刺激 AI Server 需求， HBM3e 、 LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出货同步成长， Agentic AI 应用则带动各容量规格的 RDIMM 拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足 Server 应用，第二季整体 DRAM 位元出货量小幅成长。

观察影响第三季营收的重要因素，单季位元出货量将持续小量增加，价格则因部分大容量 RDIMM 需求转至中低容量产品，加上 PC 与智能手机客户对涨价的承受能力有限，预估 Conventional DRAM 价格季增幅度缩减至 13-18% ，以原厂大幅收敛供给的 Consumer DRAM 涨幅最高。
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