不靠光刻机突围！中微一日连发六台硬核设备

大众始终将芯片突破的全部希望寄托于光刻机，却忽略芯片制造六成以上工序依靠刻蚀与薄膜沉积设备完成。无锡展会上，中微一次性推出六台全新自研装备，不含光刻机，覆盖超高深宽比刻蚀、ALD薄膜沉积、碳化硅专用设备。海外巨头研发单台设备普遍耗时3‑5年，中微将周期压缩至两年以内，并行推进二十余款机型迭代。这款最高支持90:1深宽比的刻蚀机，可以在硅片上打出笔直的纳米微孔，支撑300层堆叠的3D NAND与HBM高端存储芯片制造。截至2026年6月，中微手握54类高端设备，八千八百余个反应台落地全球220多条晶圆产线，半年新增五十余条产线客户。我们不再执着单点突破，而是补齐整套国产工艺链条。当周边设备全部实现自主可控，便是中国半导体真正突围的时刻。

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