【三星及台积电宣布与ASML加强合作】日前，三星电子宣布，扩大与ASML（阿斯麦）的长期战略合作关系，深化在High-NA EUV光刻和先进半导体制造技术方面的合作，推动AI时代的下一代创新。同时，台积电（TSMC）也宣布与ASML展开合作，推动行业转移升级至向更大尺寸的High-NA EUV光罩/掩膜。凭借存储和代工制造领域的领先优势，加上EUV光刻技术方面的丰富经验，三星相信在这次12英寸光罩转型中发挥关键作用。三星计划2028年首次引入High-NA EUV光刻技术，用于DRAM芯片制造，预计能延长DRAM的扩展路线图，提升分辨率，简化工艺并提高效率。台积电打算2030年起，在逻辑芯片制造中引入High-NA EUV光刻技术。随着制程技术不断升级，预期使用High-NA EUV曝光的光罩层数也将随之增加。台积电目标是2031年之前建立12英寸光罩试产线，2033年之前光刻系统全面就绪，以支持先进制程工艺量产。