CXMT产量低于韩国存储巨头的根本原因在于：硅通孔TSV

据外媒报导，中国最大的DRAM制造商CXMT已开始试生产第四代高带宽内存(HBM3)，但其初始良率提升甚微。与SK海力士相比，差距显而易见。SK海力士自2022年起便开始量产该产品，良率已超过90%。业内人士指出，造成这一差距的根本原因在于硅通孔(TSV)技术的成熟度存在差异。TSV是堆叠和连接多层DRAM的关键工艺。