原子层只挪0.1纳米！电阻直接改变千万倍，国产芯片存储迎来新突破

别小看0.1纳米这个极微小距离，中科院半导体所团队带来重磅科研突破，靠原子层一点点滑移，就让器件电阻变化千万倍。

过去滑移铁电隧穿结一直有个痛点，高开关比和高耐久很难同时实现。这次团队用二维范德华异质结界面工程，搭建六方氮化硼、3R-MoS₂、单层石墨烯组合结构。只要发生埃米级原子层滑移，微弱极化信号就能被放大，实现四两拨千斤的效果。

这项技术如果后续完成大规模器件阵列和配套电路开发，未来能用在手机、电脑里。可以做到运算更快、功耗更低，有效解决现在算力越高耗电越大的难题，助力存算一体芯片架构落地，给下一代存储芯片开辟新路线。

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