长鑫采用新G5 DRAM技术，每片晶圆芯片数量提高50%

在发布LPDDR6不到一个月后，长鑫存储确认其DRAM技术又迎来一个里程碑：全新的第五代“G5”DRAM平台已开始量产，首批两款LPDDR5X产品在密度上有大幅提升。
G5平台采用11.95nm有效面积（AA）半间距，使长鑫存储的制造能力更接近三星、美光和SK海力士等厂商。长鑫存储称，与上一代DRAM平台相比，G5平台每片晶圆的芯片产量提高50%。
不过，50%指的是每片晶圆的毛芯片数提升，并不等于最终良品数。长鑫存储没有公布良率等细节，因此新技术未必能让每片晶圆的功能性DRAM数量也增加50%。即便如此，这仍有助于长鑫存储提高DRAM产量，并缓解全球DRAM短缺。
长鑫存储首款确认的G5系列产品是24Gb LPDDR5X内存芯片。据报道，这些芯片已投入量产，据媒体称其已被用于新款中国智能手机。
总体来看，长鑫存储的DRAM制造技术正在持续进步。虽然良率 尚未公布，但每片晶圆芯片产量提升50%无疑是利好：DRAM密度和晶圆生产率提高，可以降低长鑫存储的成本、提升盈利能力，也能增加整体供应，帮助缓解供应短缺。对志在成为全球最大DRAM制造商之一的长鑫存储来说，这是重要一步。#商业 #科技 #芯片 #大模型 #半导体