长鑫存储开始量产可与三星媲美的内存芯片

长鑫存储再次试图抢占全球最大芯片制造商的风头。这家中国制造商显然正在量产其最新DRAM平台，有望在内存市场与三星和其他主要厂商并驾齐驱。
长鑫存储在2026年世界制造业大会上发布最新进展，为大会拉开序幕。这家企业已正式开始量产第五代DRAM技术平台，效率和竞争力均显著提升。
长鑫存储表示，全新“G5平台”将为公司提供业界领先的存储器制造技术。公司指出，其工艺能力可与业界最先进的量产节点相媲美，并强调G5平台是企业发展历程中的重要里程碑。
G5平台引入的技术突破包括一种新型自对准四重曝光（SAQP）技术，其存储器阵列有效面积半间距为11.95nm。长鑫存储称，这项新技术有望缩小与业内其他厂商最先进存储器平台之间的差距。
此外，G5平台通过采用新型材料集成技术重新设计，实现45:1的阵列电容器纵横比。该技术还采用针对DRAM优化的高k金属栅
极工艺，将核心单元阵列高度缩小至精确的6,762nm。
长鑫存储开发G5平台的第一步，是创建该技术的“数字孪生”模型，从而探索设计、流片、制造和良率管理的新方法。公司表示，这些“虚拟”研发工作可以显著加快更复杂DRAM工艺模型的创建。
G5平台可将晶圆芯片密度提升50%，从而显著提高电源效率。目前，长鑫存储正利用这项新型DRAM技术量产两款面向智能手机、笔记本电脑和其他便携式计算设备的LPDDR5X产品。
这些新型芯片单芯片容量高达24Gb，比上一代产品提升50%。长鑫存储表示，G5平台将“满足全球需求，提供高性能、高可靠性的下一代内存产品，以支持全球数字经济发展。”
这家公司在举步维艰的存储芯片行业中也扮演着日益重要的角色。其市场估值正在飙升，而苹果可能在其广受欢迎的消费电子产品中使用长鑫存储芯片。这家芯片制造商正通过将晶圆产量提高到前所未有的水平，为进一步增长做准备。#商业 #科技 #人工智能 #芯片 #半导体