全球首次安培级通流！咱们中国团队刷新氧化镓垂直MOSFET国际公开纪录，跨过大功率关键门槛！

很多朋友可能还不太熟悉氧化镓，它属于第四代超宽禁带半导体，不是普通宽禁带材料，天生特别扛高压，理论耐压能力是碳化硅的三倍多，打个比方，别的同类芯片最多扛3千伏，它理论上能扛到8千伏，一直被全球科学界看作下一代高压电力开关最有潜力的材料。但是这么多年，全世界科研团队面前一直横着一道核心难关：氧化镓稳定可控的p型掺杂到现在依旧是整个领域还没攻克的根本性挑战。想要做常规结构的电力开关芯片，一般需要同时具备两种导电区域，氧化镓很容易制备n型导电层，但稳定好用的p型层很难做出来。也正是这个卡点，过去全球所有垂直结构氧化镓MOSFET，全都卡在小电流水平，一直冲不破1安培大关，大多只能做实验室原理演示，很难往电力设备落地。

这次上海镓驰动力科技有限公司团队拿出的方案，思路很巧妙，并没有硬啃p型掺杂这个老大难问题，而是靠全新器件终端结构，搭配独创沟道自对准离子注入工艺，用结构设计规避掉了对p型层的依赖，依靠n型沟道就实现了增强型工作模式，2026年9月30日完成流片验证，做出全球首款导通电流突破1安的增强型氧化镓垂直MOSFET，实测导通电流1.2安培，击穿电压超过900伏，比导通电阻33毫欧·平方厘米，漏电流控制到3微安以内，漏电指标已经追上现在商用碳化硅器件水准。

咱们横向对比全球其他团队的进度，日本、美国多家机构十几年持续深耕氧化镓器件研究，日本团队曾经在功率品质因数拿到不错指标，但器件通流能力始终没能突破安培门槛；美国康奈尔大学等机构研制的垂直氧化镓器件，同样只能维持小电流运行，距离大功率工程验证还有不小差距。这次国内成果，等于率先跨过了大功率这个关键门槛，国际半导体领域不少学者评价，本次突破把氧化镓器件从单纯实验室样品阶段，推进到工程验证落地的新阶段，补齐氧化镓走向实际应用非常关键的一块短板。

很多人会问，这个芯片到底能干什么，在各个场景里面起到什么核心作用。简单打个比方，功率半导体就相当于电力系统里面的“闸门开关”，专门控制电能输送、变换。在储能电站场景，它负责把电池里的直流电转换成电网能用的交流电，器件耐压更高、损耗更小，就能减少变电过程白白浪费的电能；在工业电机场景，高压电机调速开关用它替换传统器件，设备体积可以做得更小，长时间连续运行发热更少；在智能电网领域，高压输配电的电力开关搭载氧化镓器件之后，整机能够轻量化，适配户外高压站点布置；在新能源高端装备上面，高压电能变换单元依靠它实现更高功率密度，整套设备不用做得笨重庞大。

这里跟大家说明一点，现阶段氧化镓整个赛道产业化还处在早期研发验证阶段。目前全球能够拿出氧化镓器件样品的科研机构不多，绝大多数团队还停留在材料、实验室器件研发阶段。

最后客观讲一句，这次只是第一阶段流片验证，虽然拿到全球首个安培级增强型氧化镓垂直MOSFET，但距离大规模量产，还需要持续优化器件长期可靠性、批次一致性，后续还需要多轮迭代测试。而且要划重点：这次是靠结构创新绕开p型层，氧化镓稳定可控p型掺杂这个领域根本性难题，至今全球都还没有攻克。不过毋庸置疑，这次我们率先拿下大功率这个关键关口，在第四代超宽禁带半导体核心器件赛道实现领跑。

图｜氧化镓器件实验室电学测试实拍图，本次安培级通流成果公开新闻素材，仅用于科技科普。