摩根士丹利：先进封装正在成为 AI 芯片产业链的新战场。

随着 AI 芯片规模持续膨胀，当封装尺寸进一步突破传统光罩极限、甚至迈向 9.7 倍 Reticle Size 以上时，原有晶圆级 2.5D 封装开始面临尺寸与成本瓶颈。台积电押注面板级 CoPoS，英特尔推进 EMIB-T，未来先进封装的核心竞争力之一，就是谁能以更低成本“装下”更大的 AI 芯片，谁就更有机会拿到下一代订单。

与此同时，光互联材料路线也在加速分化。摩根士丹利认为，磷化铟 InP 与薄膜铌酸锂 TFLN 是目前最成熟、最具产业化潜力的两条路线。但 InP 正面临严重供应短缺，反而进一步打开了 TFLN 的成长空间。TFLN 具备低损耗、超过 110GHz 的高带宽、良好热稳定性和高线性度等优势；联电目前已实现 6 英寸量产、8 英寸送样，并进一步推进 TFLN 与硅光 PIC、先进封装的异质整合。AI 算力从“电互联”走向“光互联”，薄膜铌酸锂正在成为值得重视的新变量。

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