余承东首次在国际场合公开确认，国内正在攻坚EUV光刻机。此前有关EUV大多只是论文与网传消息，而由行业关键人物出面表态，相当于明牌：我们没有放弃先进制程的攻关。

EUV难度极高：它依靠13.5纳米的极紫外光做光刻。光源需要用高能激光每秒5万次击打锡滴产生等离子体；极紫外光极易被吸收，光路必须全程真空、依靠反射镜传导，整套技术体系和DUV完全不同。并且ASML只是集成商，一台EUV汇聚了欧美等全球五千多家供应商的顶尖技术，构筑起极高的行业壁垒。

目前国内多个科研机构，在光源、反射镜、工件台等关键零部件陆续取得进展。当下最大的难关，是十几万个零部件实现纳米级精度的整机整合。

与此同时，华为另辟蹊径，依靠技术堆叠方案，实现芯片性能追赶，为EUV的研发争取宝贵的时间。

这是一场以十年为单位的持久战，既不用过度焦虑差距，也不要轻信速成的消息。方向已定，稳步前行。