马斯克称：中国在芯片量产上碾压，但面对SpaceX未必！

近日，马斯克在X平台上再度就中国芯片制造能力发表看法，其核心观点耐人寻味——中国在调试生产设备后实现大规模量产的能力位居全球之首，但在3D堆叠、逻辑芯片上集成存储等下一代存储芯片技术平台上，可能面临真正的困难。这番言论是他近期围绕中国半导体工艺一系列表态中的最新一次，背景则是他正着力推进Terafab项目，以满足旗下各公司对半导体的需求。

马斯克此番回应针对的是一则质疑长鑫存储能否在规模、价格等方面实现其最新4F²存储芯片量产的帖子。上周，长鑫存储在上海发布重大公告，宣布有望于今年年底前推出采用混合键合与4F²工艺的DDR5内存芯片。这一时间表之所以引人瞩目，是因为全球领先的内存芯片制造商三星预计要到2028年才能实现相关产品量产。4F²被视为存储芯片行业的关键性技术升级，它通过将存储芯片单元的各组件垂直堆叠而非水平排列，从而节省空间并提升性能。

马斯克承认，中国在成熟标准上的推进速度不容小觑。他以锂电池和太阳能产品为例指出，中国的“规模效应往往超过世界其他地区的总和”。在这张横跨多个行业的大规模生产能力“矩阵”中，他视SpaceX为唯一异常——这家公司能够在向轨道运送有效载荷的吨位方面持续领先于中国。SpaceX的大部分发射任务用于星链卫星互联网星座，该星座已将数以万计的小型互联网卫星送入轨道。

然而，当话题转向更前沿的存储芯片架构时，马斯克的态度转向谨慎乐观。他补充称，LPDDR5和LPDDR6内存芯片均按照统一标准设计，中国“似乎正在迅速攻克这一难题”，但诸如HBM架构和3D堆叠等新兴技术则“更难攻克”。这一判断并非空穴来风。在3D DRAM领域，中国芯片制造技术厂商Naura今年早些时候取得重大突破，其64层3D DRAM堆叠结构采用硅与硅锗层，通过两步工艺有效提升了刻蚀选择性及损耗率等关键指标。这说明中国在下一代存储技术上的探索并未停步，但距离大规模量产仍有距离。

马斯克的言论折射出一个更深层的判断——中国擅长在既定标准下以规模碾压对手，但在定义下一代技术平台的竞赛中，先行者仍握有架构话语权。SpaceX被他视为这一逻辑的例外，而RAM芯片是否会成为下一个例外，取决于中国能否在3D堆叠与HBM等前沿架构上复制其规模化优势。科学新闻 马斯克称SpaceX是唯一能与中国芯片规模抗衡的异类 马斯克称中国扩产能力超全球总和