长鑫存储正致力于开发一种更小尺寸的DRAM存储单元——而这一技术路线此前已被存储芯片“三巨头”尝试过并最终搁置。据媒体报道，长鑫存储计划在今年年底前开始生产基于4F²架构的DDR5芯片。如果计划如期推进，其在这一存储单元技术上的进展将领先主流存储芯片制造商数年。

目前的DRAM产品（包括DDR4、DDR5及高带宽内存）均采用沿用已久的6F²存储单元架构。相比之下，4F²设计在尺寸上缩小了约30%至40%，这意味着在同等晶圆面积下，能够提升存储密度并降低生产成本。长鑫存储之所以积极推动4F²架构，部分原因是受美国出口管制影响，无法采购ASML的极紫外（EUV）光刻设备。相比之下，美光、三星和SK海力士已利用EUV设备，在6F²架构基础上实现了10多纳米的先进制程量产。

事实上，这几家巨头在过去十年间也曾开发过4F²架构，但最终都未将其投入大规模生产。主要原因在于该技术良率低、成本高，且难以通过客户的认证标准。当数十亿个晶体管和电容器被压缩在更小的空间内时，这种尺寸更小的存储单元往往伴随着发热量更高、结构更脆弱等挑战。

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