韩媒：长鑫存储这次要领先三星了！
10月15日，韩国媒体《今日财经》发表文章称，中国存储半导体公司长鑫存储宣布，将在年内推出采用新一代DRAM技术的服务器内存。外界分析认为，中国已不再满足于扩大生产能力，更展现出在下一代技术竞争中超越韩国的坚定决心。

长鑫存储总裁曹堪宇在近日于中国上海举行的第四届集成电路与芯片技术大会上透露，计划在今年年底前推出采用“4F2”技术的服务器DDR5内存产品。

4F2是一种能够减小DRAM最小数据存储单元面积的技术。理论上，与现有的6F2结构相比，它可以将存储单元面积缩小约33%，从而在相同尺寸的半导体中存储更多数据。这项技术因其能够提高生产效率和降低成本而备受关注。

半导体行业之所以关注这项技术，是因为现有方法在缩小DRAM尺寸方面存在局限性。虽然存储器制造商通过提高半导体电路的精细度来增加存储容量，但随着工艺的日益复杂，技术难度也随之增加，生产成本也随之上升。

三星电子也在制定计划，将4F2技术应用于下一代DRAM。外媒预测，三星电子将在其10纳米以下的新一代工艺中引入这项技术，并于2028年开始生产相关产品。仅从发布时间表来看，这意味着长鑫存储比三星电子领先约两年。

然而，很难断定长鑫存储在技术上领先于三星电子。长鑫存储计划在年内推出的产品可能只会应用4F2技术的一部分。推出产品是一回事，成功实现大规模量产又是另一回事。真正的竞争力取决于生产良品率、成本以及能否获得客户。

长鑫存储正积极拓展产能，同时推进下一代技术的研发。据悉，长鑫存储计划在今年年底前实现DRAM晶圆月产能30万片，并通过在上海和合肥新建工厂，长期目标是将产能翻番至每月60万片。

值得注意的是，此次发布的产品是面向服务器的。服务器级DDR5内存通常与AMD EPYC和Intel Xeon等服务器CPU一起应用于数据中心和云服务器。由于服务器内存的稳定性和可靠性比普通PC内存更为重要，因此其准入门槛也更高。

尽管此前韩国业界普遍担忧，中国内存厂商产能扩张会加剧通用DRAM市场的价格竞争，但现在看来，这种竞争也可能蔓延至服务器产品和下一代工艺领域。如果长鑫存储能够实现稳定的量产并获得客户认证，那么三星电子和SK海力士所竞争的服务器用内存市场，也将受到中国更大的影响。