长鑫科技宣布新一代‌4F²架构DRAM‌研发取得关键进展，年底将推出融合该架构与晶圆级混合键合的DDR5 RDIMM产品，直接切入服务器内存核心市场。
相比当前主流的6F²方案，4F²架构能将存储单元面积压缩约三分之一，同晶圆同制程下存储密度理论上提升约五成。而SK海力士2025年才公布4F²路线图，三星的目标是2028年实现10纳米以下DRAM量产，长鑫的落地进度将形成约两年的代差优势。
长鑫的全球DRAM营收占比已从2025年二季度的4%升至2026年二季度的10%，正式站上全球第四，市场担忧韩国厂商长期垄断的技术壁垒被快速突破，供给端格局将彻底重构。