长鑫科技最近放的这个技术消息，真的给国产存储打了一剂强心针。
现在行业主流DRAM架构还是6F²，他们直接搞出了4F²的新架构，靠VSG垂直包围沟道的晶体管设计，直接解决了漏电和短沟道效应的老痛点，单位面积存储密度直接提了一大截，年底还要推出搭载这项技术的DDR5 RDIMM产品。
之前国内存储一直被海外巨头卡脖子，长鑫啃下这么多硬骨头，从追赶到直接摸到行业领先的技术门槛，带着上下游几百家配套企业往前冲，虽然离全球存储领导者的位置还有段路要走，但按这个自研节奏跑下去，真的没人敢再小瞧国产存储的后劲。