SiGe 外延的晶面与负载效应。SiGe 的体积、晶面和硼掺杂并不只由配方决定，也受凹槽几何与版图密度影响。密集区前驱体更易耗尽、副产物更难排出，局部生长速率下降；左右源漏若出现体积或晶面不对称，沟道应力就会不均，造成 Ion、Vth 和结电阻离散。半导体 芯片 芯片制造 集成电路
SiGe 外延的晶面与负载效应。SiGe 的体积、晶面和硼掺杂并不只由配方决定，也受凹槽几何与版图密度影响。密集区前驱体更易耗尽、副产物更难排出，局部生长速率下降；左右源漏若出现体积或晶面不对称，沟道应力就会不均，造成 Ion、Vth 和结电阻离散。半导体 芯片 芯片制造 集成电路