国产内存这次不是追赶，是换赛道了。
长鑫科技确认：第六代 DRAM 工艺平台已完成工程样片验证，用的 4F² 垂直沟道架构——全球 DRAM 公认的下一代核心技术路径。
以前国产存储拼产能，现在开始拼架构。机构测算 DRAM 缺口到 2027 年还会扩大。
你觉得国产内存多久能追上三星、海力士？
长鑫科技 DRAM 芯片
国产内存这次不是追赶，是换赛道了。 长鑫科技确认：第六代 DRAM 工艺平台已完成工程样片验证，用的 4F² 垂直沟道架构——全球 DRAM 公认的下一代核心技术路径。 以前国产存储拼产能，现在开始拼架构。机构测算 DRAM 缺口到 2027 年还会扩大。 你觉得国产内存多久能追上三星、海力士？ #长鑫科技#
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