利好！大利好！存储芯片国产替代赛道，接下来要疯狂了！国产存储产能扩张动作持续落地，长鑫存储开启大规模建厂计划，而行业资深人士也发出预警，提示后续供给放量之后，内存市场或将迎来过剩、价格下行的中期压力。一边是国产产能加速突围，一边是行业周期的潜在拐点，存储板块的博弈看点进一步增多。据快科技消息，业内传出长鑫存储正在推进大规模扩产，计划在北京、上海等地布局10座晶圆厂，新增产能大多集中在未来两年陆续投产，一旦顺利落地，会直接改写全球DRAM市场的竞争格局。前南亚科技董事长、被称为内存教父的高启全近期在采访中也谈到了这一变化。他表示，现阶段长鑫在技术层面和三星、SK海力士仍存在差距，短时间内难以追上海外头部厂商，但产量的快速扩张，本身就会给内存价格带来压制。同时他也强调，供给过剩带来的降价属于中期风险，传导需要数年时间，短期并不会出现价格快速跳水。这则消息折射出存储行业两条并行的主线。一方面，国内存储产业链的自主建设节奏明显提速。DRAM是算力服务器、PC、消费电子不可或缺的核心元器件，过去长期被海外大厂主导。长鑫持续扩产，意味着国产DRAM的市场份额有望稳步抬升，国产替代不再停留在样品和小批量阶段，逐步走向规模化供货。另一方面，存储本身是强周期赛道，价格由供需天平主导。过往几轮周期里，只要头部厂商集中扩产，隔一段时间就会进入供大于求、价格持续走弱的阶段，这次国产产能集中投放，也给未来的周期走势埋下变量。事件释放出清晰的产业信号。第一，国产DRAM产业化进入规模化阶段。大规模新建晶圆厂，代表上游设备、材料、工艺配套体系逐步成熟，国内存储产业链的配套企业将持续拿到订单。第二，全球存储市场格局正在重塑。过去海外厂商主导供给节奏，随着国产产能加入，定价话语权会慢慢发生变化，海外大厂的供给约束对价格的影响会被稀释。第三，周期判断需要区分短期和中长期。短期算力需求支撑下，内存价格韧性还在，但两三年后集中产能释放，会成为压制行情的关键变量，投资上要重视周期时间差。直接利好的细分赛道主要有三块：1、存储芯片设计制造赛道：国产DRAM厂商，以及配套研发服务器、工业级存储产品的企业。2、半导体上游配套赛道：存储制程所需光刻胶、特种气体、靶材、清洗设备、测试设备供应商。3、存储模组赛道：国产内存模组、工业存储、服务器存储方案厂商。客观来看，扩产计划落地存在不确定性，建厂、设备进场、良率爬坡都需要时间，不是所有规划产能都能按时顺利释放。同时技术差距客观存在，短期国产产品更多在性价比市场竞争，高端算力内存市场依旧由海外龙头把控。周期下行风险是远期预判，并不代表行情马上反转，后续要持续跟踪产能投产进度和下游算力、PC端需求的承接力度。后续重点跟踪长鑫各新建厂区的投产时间表、DRAM现货与合约价格走势，以及海外存储厂商的资本开支调整计划。大家觉得，国产存储扩产，会不会打乱海外厂商原本的控产保价节奏？评论区聊聊你的看法！