今天(9月20日)2026世界制造业大会,长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台G5正式量产,同步展出基于G5的两款LPDDR5X。
不是单发一款芯片,是“造内存的系统能力”整体换代。
一、G5工艺到底压到什么程度
有源区半间距11.95nm:用四重曝光把DUV线宽一层层压到接近全球顶尖DRAM量产节点,不靠EUV也能进12nm级。
存储电容深宽比45:1:相当于在极小截面里做超高深孔,均匀不漏电是核心难题。
HKMG高介电金属栅,核心功能区高度压到6762nm,配合界面工程、鞍形鳍式结构、低k位线等模块一起改。
数字孪生研发:设计、开发、制造、维护全周期在虚拟线跑先进DRAM模型,先试错再落产线,压缩研发周期。
二、为什么叫“平台级”而不是“新产品”
G5较G4,每片晶圆裸片数提升至少50%,统一折算8Gb颗粒基准。晶圆成本口径不变、裸片更多,单位比特成本和下一代产品迭代空间直接打开。
基于G5先出两款LPDDR5X:
单颗24Gb,较上代同类型提升50%
496Ball、245Ball两种封装
面向中高端手机、便携消费电子,已规模量产
后续LPDDR5X更高速率、LPCAMM模组、车规、服务器DDR5等,都可在G5平台上做代际延伸,不用每次重搭工艺。
三、财务账:从亏到赚,靠的不只是涨价
长鑫科技2026半年报:
营收1503.10亿元,同比+873.64%
归母净利776.05亿元,上年同期亏损23.32亿元,扭亏
经营现金流1311.56亿元,同比+2985.64%
主营毛利率84.84%
业绩弹性来自两点:AI算力拉高DRAM需求、全球大厂产能调配导致供给偏紧;同时G4/G5迭代提升单位晶圆产出、产能利用率上来后摊薄成本。技术平台+产能爬坡+价格周期三重叠加,才是“从能做”到“能便宜地规模做”的转折。
四、全球格局:第四家规模玩家,但别吹满
三星、SK海力士、美光仍占全球DRAM大部分份额;长鑫是少数能规模量产、且自研先进节点的第四家。G5官方口径是“比肩行业顶尖量产工艺节点”,不是“全面超过”。
路线差异要讲清:海外头部先进节点已用EUV,长鑫用DUV四重/多重曝光绕开出口限制,代价是掩膜、刻蚀、对准、良率控制更重。G5能平台级量产,说明这条路线跑通了;但成本结构、EUV节点差距、HBM进度仍要分开看,不能一句“追上三星”带过。
五、真正底牌不是某款手机内存,是供给能力
G5的价值排序:
晶圆裸片+50% → 单位成本下行
数字孪生+四重曝光 → 后续节点可复用研发体系
LPDDR5X/车规/模组/服务器端可同平台延展
DUV不依赖EUV → 受外部设备限制相对更小
国产替代从“有没有”进入“有多便宜、铺多广、供多稳”的阶段,G5是这道关的底座。
你怎么看?
A. DUV四重曝光绕EUV最值钱,长期比单纯追节点更重要
B. 晶圆+50%会先打手机内存价格,旗舰标配24Gb不远了
C. 车规+LPCAMM+服务器才是G5真正放大收入的战场
D. 长鑫下一步看HBM,G5只是通用DRAM台阶
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信息来源
中新网《长鑫存储第五代技术平台正式量产》2026-09-20;证券时报《长鑫科技新突破:第五代DRAM技术平台实现量产》2026-09-20;中国电子报/中国网同题通稿2026-09-20;长鑫科技2026年半年度报告(8月28日/29日披露):营收1503.10亿、同比873.64%,归母净利776.05亿、上年同期亏23.32亿,经营现金流1311.56亿;IT之家/澎湃关于G5 LPDDR5X 24Gb、496/245Ball量产报道2026-09-20。