马斯克在 X 平台转发韩国财经专栏并评论：China will be making a LOT of RAM in 2028（中国将在 2028 年大量生产内存 RAM）新浪财经。 韩国《每日经济》专栏观点：随着中国新增 DRAM 产能落地，2029 年全球内存市场或将出现供给过剩，韩国存储产业红利窗口仅剩 2~3 年，三星、SK 海力士两大支柱企业会面临巨大冲击36氪。
市场反应消息发酵后，韩国存储芯片股大幅下挫：SK 海力士大跌约 11%，三星电子跌约 9.48%，板块暴跌带动韩国股市触发熔断机制，市场恐慌情绪快速扩散；本轮下跌不只是马斯克言论，叠加长鑫存储 DRAM 技术突破（4F² 架构 DDR5 服务器内存进展）共同冲击市场预期。
补充：马斯克此前还公开批评韩国内存厂商定价过高。
背景主体：长鑫存储国内长鑫存储正在推进新一代 4F² DRAM，计划 2026 年底推出 DDR5 服务器内存产品；市场预测乐观情景下，2028 年长鑫 DRAM 月产能有望达到 55 万–60 万片晶圆，规模接近 SK 海力士，但良品率、客户认证、HBM 高端内存仍有较长追赶周期，短期很难直接撼动全球高端存储格局。
客观解读要点马斯克这句话属于个人观点预判，并非权威产业报告；他只是放大了韩媒原本就有的产能过剩担忧，并非爆料独家情报。市场属于情绪放大式杀跌：DRAM 芯片量产不等于良率、成本、高端 HBM 同步成熟；从技术突破到稳定大规模商业供货，存在很大不确定性，不少分析师认为本次股市反应过度。产业格局：全球 DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光垄断；中国 DRAM 目前主要发力普通 DDR 内存，AI 核心的 HBM 高带宽内存仍处在攻关阶段。逻辑：AI 热潮推高内存价格，韩国存储企业迎来高利润周期；资本担心中国产能释放终结本轮存储超级景气周期，提前抛售避险。风险提示以上仅为行业资讯解读，不构成任何股票投资建议。