电源纹波是高压电源输出中不可避免的电压或电流微小波动，尽管幅值较小，但在半导体制造中却可能造成显著的良率差异。随着制程精度进入纳米级，工艺对能量稳定性的敏感度极高，纹波对设备性能与晶圆质量的影响愈加突出。

在等离子体刻蚀、CVD沉积及光刻曝光等工艺中，电源纹波会引发离子能量分布不均，从而导致刻蚀深度或薄膜厚度的不一致。对于纳米级线宽结构而言，这种微小的不均匀性会放大为电学性能波动，影响晶体管的阈值电压与开关速度。

电源纹波主要来源于功率变换器的开关动作、控制回路振荡以及外部负载扰动。降低纹波的关键在于拓扑优化与多级滤波设计。采用软开关技术、交错并联变换以及数字化控制可有效抑制高频纹波。输出端多级LC滤波与有源补偿则进一步平滑电压波形。

在晶圆制造设备中，为了评估电源纹波对工艺的影响，常采用高分辨率示波与频谱分析，对输出信号进行时域与频域测量。研究表明，当电源纹波峰值超过0.1%，会显著影响等离子体密度稳定性，从而导致刻蚀速率波动。

此外，纹波还可能引发电磁干扰，影响设备内部的传感器精度与控制回路稳定。尤其在多电源系统中，不同模块间的纹波耦合会产生交叉干扰，形成复杂的谐波分布。因此，在系统设计阶段必须从整体架构上进行协调，包括共地布局、屏蔽设计与同步控制策略。

针对良率控制的需求，现代高压电源普遍采用闭环纹波抑制算法，通过高速ADC实时监测输出波形，并在微秒级时间内动态补偿。这种主动控制方式显著降低了纹波幅度，使电源输出更加平滑可靠。

电源纹波虽微小，却是影响半导体制造精度与一致性的关键因素之一。其控制水平已成为判断设备性能优劣的重要技术指标。