N沟道MOSFET的导通条件是栅源电压Vgs必须大于阈值电压Vth，且需预留足够裕量以确保器件进入充分饱和的导通状态。这一条件是MOS管从截止区跨越到导电区的核心电气门槛，直接决定了器件能否可靠地作为开关或放大器工作。

核心开启判据可表达为：Vgs > Vth + 2V。这里的Vth是器件的阈值电压（典型值1-3V），而+2V是工程实践中确保沟道完全形成的必要裕量。例如，若某N-MOS的Vth = 2V，则实际驱动电压需满足Vgs ≥ 4V才能实现低导通电阻的稳定导通。

物理机制层面：当Vgs = 0时，P型衬底与N+源漏区形成背靠背PN结，器件处于高阻截止态。随着Vgs正向增加，栅极电场开始排斥P衬底表面的空穴，当Vgs接近Vth时，表面开始形成耗尽层。一旦Vgs超过Vth，N型反型层出现，导电沟道建立，电子从源极流向漏极，漏极电流Id随之产生。

三个工作区条件各不相同：

截止区：Vgs < Vth，沟道未形成，Id ≈ 0

线性区：Vgs > Vth 且 Vds < (Vgs - Vth)，沟道连续，Id与Vds呈线性关系，器件等效为压控电阻

饱和区：Vgs > Vth 且 Vds > (Vgs - Vth)，漏极端沟道夹断，Id趋于恒定，由Vgs决定，跨导gm = ΔId/ΔVgs

温度特性不可忽视：阈值电压Vth具有负温度系数，约-2mV/℃，高温下Vth降低，需确保驱动电压仍有足够裕量。

实际工程经验：逻辑电平MOS（Vth=0.5-1.5V）可用3.3V/5V驱动，标准MOS（Vth=2-4V）需10-12V驱动才能饱和。牢记口诀："Vgs大于Vth，再留两伏裕量"，这是N-MOS可靠导通的黄金法则。