射频振荡器是射频信号链的重要组成部分，由有源器件（如晶体管，二极管或微波管）和用于确定频率的无源谐振元件组成，主要是通过各种方式生成具有特定频率的连续谐波输出，广泛用于移动电话、GPS导航系统、无线电和测试设备等领域。今天我们主要来了解一下耿氏二极管振荡器。

耿式二极管一般用于制造高微波波段、毫米波甚至太赫兹波段的振荡器，其中砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）耿氏二极管振荡器都具有噪音低的特点，又能产生足够的功率输出，很适合毫米波雷达和成像装置。耿氏二极管多用于本机振荡器（LO）、电压控制振荡器（VCO）和功率放大器（PA），甚至用于140GHz以上的功率合成器。

机械调谐耿氏二极管波导振荡器，WR-28，中心频率 35GHz，输出功率 +15dBm，调谐范围 +/- 3GHz，UG-599/U带散热器

耿氏二极管振荡器的核心是耿式二极管，通常用半导体材料制成，这种材料能在传导带内部形成若干个彼此靠近的能量谷。

耿氏二极管器件的结构主要分为以下三种：倒装芯片器件（C~W频带）；一体化散热器件（Ka~W频段）；低功率器件器件（C~K频带）[4]。梯度能隙热注入技术仅能应用于GaAs一体化散热结构。

如第一代耿氏二极管就是用砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和碲化镉（CdTe）制造的。之后制造耿氏二极管的半导体材料越来越多，包括氮化镓（GaN）、硫化镉（CdS）、砷化铟（InAs）、锑化铟（InSb）和硒化锌（ZnSe），其中砷化镓（GaAs）、氮化镓和磷化铟（InP）是耿氏二极管最常用的半导体原材料。

出于成本原因，在较高的毫米波频率上，磷化铟（InP）耿氏二极管振荡器大量取代砷化镓（GaAs）耿氏二极管振荡器，而频率较低的设备仍然使用砷化镓（GaAs）二极管。鉴于耿氏二极管振荡器的用途十分广泛，除了功率、频率、噪声以外，很多其它因素也被列入考虑范围，使得砷化镓（GaAs）的应用逐渐超过磷化铟，甚至高频段毫米波设备也是如此。