雷达如同战机的“眼睛”，其性能优劣对空战胜负至关重要。据香港《南华早报》此前报道，我国最新出厂的歼-20隐身战斗机已经换装新型战机雷达，报道称这款雷达的最大探测距离大约是原有雷达的2～3倍，这使得歼20对预警机等大型常规目标的最大探测距离从原来的大约400公里直接提升到1000公里以上。

更远的探测距离，意味着敌方战机即使与我方相隔甚远，在其未发现我方战机前，我方便能提前发现它。歼20的雷达探测距离在一众五代战机中本来就处于先进水平，比F35还强，若又换装新雷达，这将使其在雷达探测上更具优势。

虽然这一消息尚未得到官方证实，但歼20换装新型雷达，这事可能是真的。我国确实凭借一种名为碳化硅的半导体材料，改进了现有雷达的性能。那将这种新型雷达装载在歼20战机上，并非没有可能。

问题是使用了碳化硅材料后，真的能够让战机雷达有如此大幅度的性能提升吗？1000公里大约相当于北京到上海的直线距离。歼20雷达探测距离提升两倍达到上千公里，总感觉有点扯。按照该报过去报道的一些消息来看，我觉得这可能又是《南华早报》为了流量故意夸大。

近些年，我国在第3代半导体材料技术上确实又取得了重大突破。山东大学徐现刚教授领导的科研团队耗费多年心血，终于使得我国成功掌握了12英寸碳化硅半导体晶圆的制备技术，让我国在碳化硅制备技术上成功跻身世界一流水平。而在这之前，大尺寸碳化硅晶圆的制备技术主要掌握在美国手中，我国就只能生产一些小尺寸的碳化硅晶圆。

碳化硅与氮化镓同属第3代宽禁带半导体材料。相较于氮化镓，碳化硅确实具有许多优点，例如击穿电场强度更高，能承受更高的电压，使雷达能够输出更强的信号，提升探测距离；而且碳化硅的热导率也比氮化镓强，在保持功率不变的情况下，可大幅提升散热效率。可见，使用这种半导体材料来制造有源相控阵雷达，确实可以提升雷达的性能。

事实上，这种新型雷达只是采用了碳化硅晶圆作为衬底，并没有用这种材料来制作T/R组件，其T/R组件实际上仍然采用的是氮化镓材料。因为碳化硅材料虽然热导率和击穿电场强度均优于氮化镓，但其电子迁移率较低，开关速度相对较慢，工作频率上限低于氮化镓。

T/R组件的性能在很大程度上决定着有源相控阵雷达的性能。一个相控雷达阵列面往往包含几百数千个T/R组件，而要制造这些组件，就必须要使用衬底材料。衬底的作用虽然主要是为半导体器件提供稳定的晶体生长平台，但使用热导率和击穿电场强度更高的衬底材料，比如碳化硅，确实能显著提升T/R组件的散热能力和功率输出。

只是，这种提升我认为没有报道的那么夸张。仅仅换了一个衬底材料，应该还无法让歼20雷达的最大探测距离提升两倍达到上千公里。碳化硅衬底虽能提升散热和功率密度，但仅靠材料改进难以实现如此巨大的跃升，对大型常规目标的探测距离从400公里提升到600公里倒是有可能。当然，雷达探测距离不仅取决于功率，还与天线孔径、信号处理算法、目标RCS等密切相关。

其实，碳化硅并非终点，我国已经在氧化镓等第四代半导体材料制备技术的研制上，走在了世界前列，2025年成功制备出全球首个8英寸的氧化镓晶圆。这种超宽禁带半导体的击穿电场强度是碳化硅的2.7倍，如果能应用于战机雷达，倒是有可能使其对大型常规目标的最大探测距离接近1000公里。