Navitas Semiconductor 与洛桑联邦理工学院（EPFL）的研究中心将于 2026年3月22日至26日 在德克萨斯州圣安东尼奥举行的 APEC 2026 上，展示一款 250kW 的固态变压器（SST）解决方案。

基于碳化硅（SiC）的设计采用单级、模块化桥式整流 SST 拓扑结构，可将 3.3kV 交流电转换为 800V 直流电，功率达250kW。

关于该技术项目

EPFL 电力电子实验室开发的固态变压器（SST）平台能够实现下一代数据中心所需的电网架构，在消除笨重的低频变压器的同时，提高端到端的效率。

EPFL 的设计采用单级、模块化桥式整流 SST 拓扑结构，可将 3.3kV 交流电转换为 800V 直流电，功率达到 250kW，并提供增强的性能和模块化设计。该系统基于 Navitas GeneSiC 的超高电压（UHV）3300V 和高电压（HV）1200V 碳化硅沟槽辅助平面（TAP）MOSFET 及模块构建。

该固态变压器演示装置是 EPFL 电力电子实验室 "HeatingBits" 项目的一部分，旨在在其实际数据中心内部署并展示最新技术。

双方观点

Navitas 方面：

“我们与 EPFL 的合作展示了下一代中压电源转换技术如何直接解决 AI 数据中心日益增长的能源和热管理挑战，” Navitas 碳化硅事业部副总裁兼总经理 Paul Wheeler 表示。

“通过将我们的 3300V 和 1200V GeneSiC MOSFET 及模块与新型单级固态变压器架构及先进的实时控制相结合，我们正在实现一种可扩展的 800V 直流配电方法。这不仅能从电网到机架实现更高效率，还为热量再利用创造了新机会。”

EPFL 方面：

“这款新型固态变压器平台在中压交流电网与 800V 直流数据中心架构之间，提供了一个电气隔离、灵活、可扩展且高效的接口，同时也为先进的分布式控制提供了真实世界的实验环境，” EPFL 电力电子实验室副主任、副教授 Drazen Dujic 表示。

“通过利用 Navitas 的超高电压和高电压碳化硅 MOSFET 产品组合，EPFL 能够优化系统性能，实现最高效率以及针对系统稳健性和可靠性的最佳设计裕量。”

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