DC娱乐网

永霖光电_UVLED的文章

单颗器件实现 550V 击穿电压和 0.8A 电流,并实现 200V/1A 开关操作

单颗器件实现 550V 击穿电压和 0.8A 电流,并实现 200V/1A 开关操作

单颗器件实现 550V 击穿电压和 0.8A 电流,并实现 200V/1A 开关操作
GeneSiC 技术实现“更小空间内更大功率”

GeneSiC 技术实现“更小空间内更大功率”

GeneSiC 技术实现“更小空间内更大功率”
Photon Bridge 与 CPFC 合作开发多波长光引擎

Photon Bridge 与 CPFC 合作开发多波长光引擎

Photon Bridge 与 CPFC 合作开发多波长光引擎
6英寸磷化铟晶圆厂在埃因霍温开始建设

6英寸磷化铟晶圆厂在埃因霍温开始建设

6英寸磷化铟晶圆厂在埃因霍温开始建设
Wolfspeed 探索 AI 数据中心的封装创新

Wolfspeed 探索 AI 数据中心的封装创新

Wolfspeed 探索 AI 数据中心的封装创新
SK keyfoundry 宣布推出平面碳化硅平台

SK keyfoundry 宣布推出平面碳化硅平台

SK keyfoundry 宣布推出平面碳化硅平台
Sivers 的客户开始大规模量产 LiDAR 订单

Sivers 的客户开始大规模量产 LiDAR 订单

Sivers 的客户开始大规模量产 LiDAR 订单
智能纺织品利用二硫化钼量子点(MoS₂ QDs)实现睡眠监测

智能纺织品利用二硫化钼量子点(MoS₂ QDs)实现睡眠监测

智能纺织品利用二硫化钼量子点(MoS₂ QDs)实现睡眠监测
利用“百年老材料”改进红外设备

利用“百年老材料”改进红外设备

利用“百年老材料”改进红外设备
微型激光传感器或将把实验室检测带入家庭

微型激光传感器或将把实验室检测带入家庭

微型激光传感器或将把实验室检测带入家庭
Indra集团主导GIGaNTE项目

Indra集团主导GIGaNTE项目

Indra集团主导GIGaNTE项目
三星电子2nm良率超预期,泰勒厂预计年底首批流片

三星电子2nm良率超预期,泰勒厂预计年底首批流片

三星电子2nm良率超预期,泰勒厂预计年底首批流片
将硅基 N 极性 GaN HEMT 扩展至 8 英寸晶圆

将硅基 N 极性 GaN HEMT 扩展至 8 英寸晶圆

将硅基 N 极性 GaN HEMT 扩展至 8 英寸晶圆
2025年智能手机产量达到12.5亿部

2025年智能手机产量达到12.5亿部

2025年智能手机产量达到12.5亿部
我国发布全球首款170GHz光调制器产品

我国发布全球首款170GHz光调制器产品

我国发布全球首款170GHz光调制器产品