【铠侠计划2031年量产“千层面”】据Xtech Nikkei报道，铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在第71届应用物理学会春季会议上表示，计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。目前铠侠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND闪存，为218层。为此铠侠和西部数据还开发了CBA技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的，然后粘合在一起，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。通过创新的横向收缩技术，将位密度提高了50%以上，NAND I/O接口速度超过了3.2Gb/s，比上一代产品提高了60%。在开发1000层的3D NAND闪存芯片上，铠侠应该会沿用目前的工艺技术路线。
