【三星明年量产430层闪存】本月晚些时候，三星计划开始量产第九代V-NAND闪存

超大型计算机 2024-04-16 09:53:38

【三星明年量产430层闪存】本月晚些时候，三星计划开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。

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