高端光刻机依然是工业皇冠上的明珠，我们还未实现0-1的突破。实际上上海微电子很早以前就能制造DUV光刻机了，只不过分辨率为90纳米，属于DUV干式。这次工信部新发布的光刻机分辨率达到了小于等于65纳米，确实取得了一些进步，但依旧属于DUV干式光刻机，并未攻克第五代DUV浸没式光刻机。 很多人看到参数上写着套刻精度为小于等于8纳米就以为能量产工艺制程在8纳米及以下的芯片了，这显然是把套刻精度与工艺制程两个不同类别的参数混为一谈。以ASML的产品为例，其生产的1460K是分辨率为65纳米的DUV干式光刻机，与咱们的新光刻机分辨率相同，套刻精度达到了小于等于5纳米，可几乎没有哪家代工企业是用这个型号的设备量产14纳米及以下制程芯片的。 第五代DUV浸没式光刻机是量产先进制程芯片的主流“武器”。目前，全球只有ASML以及日本的佳能、尼康能够生产。还是以ASML的设备为例，主流机型为1980i、2000i、2050i和2100i，套刻精度最高的1980i能实现小于等于 2.5纳米，最新的2100i更是能达到小于等于1.3纳米。 再往前走便是半导体行业的尖端科技结晶——EUV光刻机了。这一代光刻机与第五代DUV浸没式光刻机属于两个不同层面的产品，技术壁垒很大，这也是为何全球只有ASML一家公司能够生产的原因，实在是太难了。 因此，我认为新的光刻机依旧属于1-100的创新，只有第一台国产DUV浸没式光刻机问世后才能算0-1的突破。至于更高阶的EUV光刻机，恕我直言短期内没有可能。我们期待下次工信部披露的新设备目录中能够看到分辨率小于等于38纳米的浸没式光刻机。 以上纯属个人观点，欢迎关注、点赞@王五说说看，您的支持是对原创最好的鼓励！
