中国光刻机近况 氟化氪和氟化氩光刻机的面世是当前中国半导体产业的重要技术突破。原因就是国家工信部发布在《2024年版指导目录》中被列为重大技术装备之一，标志着我国在高端光刻机领域取得了重大技术突破，这两种高科技赫然在列。 氟化氪（KrF）光刻机使用248纳米波长的准分子激光器作为光源。这种光刻机最早由日本尼康公司1995年推出，将制程节点推进到180—130纳米。中国的氟化氪光刻机指标是晶圆直径：300mm（12英寸），照明波长：248nm，分辨率：≤110nm，套刻≤25nm。 中国的氟化氩（ArF）光刻机采用193纳米波长的光源，通过特殊的光学系统和精密的机械结构，实现了对芯片表面微小结构的精确刻蚀。氟化氩光刻机的分辨率小于或等于65纳米，能够满足当前及未来一段时间内7纳米及以上制程节点芯片的生产需求。 上海微电子的氟化氩光刻机其光源为193纳米，分辨率≤65纳米，套刻精度≤8纳米。 尽管国产光刻机在技术上取得了显著进步，但与ASML的极紫外（EUV）光刻机相比，仍存在一定差距。然而，国产光刻机在DUV波段光源领域的突破，为未来进一步发展EUV光刻机奠定了基础，7-8纳米工艺制程的芯片完全可以解决目前高端芯片的需求，成熟制程芯片14-28nm的性价比更比台积电、三星代工的性价比高，中国成熟制程芯片出口优势很快会显现出来，事实也证明中国的芯片出口已经在路上了。
中国光刻机近况 氟化氪和氟化氩光刻机的面世是当前中国半导体产业
咏棣评这个好的情感
2024-12-23 23:41:59
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草样年华
大规模推广DUV，卷死阿斯麦尔和台积电，尼康等，然后再发展EUV