哈工大的曙光让ASML沉默,中芯国际等一台国产EUV
“哈工大的曙光让ASML沉默,中芯国际等一台国产EUV”这种说法源于哈工大在EUV光刻机关键技术上的突破,以下是具体分析:
哈工大的技术突破
• 技术成果:哈工大宣布成功研发13.5纳米极紫外(EUV)光源。
• 技术创新:采用DPP(放电等离子体)技术,通过粒子加速辐射来生成极紫外光,与传统的LPP(激光产生等离子体)技术不同,具有更高的能量转换效率、更低的成本及更小的体积等优点。
• 重要意义:解决了EUV光源的生成问题,这是制造7纳米及以下先进制程芯片的核心挑战之一,为国产EUV光刻机的研发奠定了坚实基础。
对ASML的影响
• 竞争压力:哈工大的技术突破打破了ASML在EUV光源技术上的部分垄断,未来可能会使ASML面临来自中国的竞争,抢占其市场份额。
• 技术冲击:ASML一直以来依靠先进的技术和先发优势占据高端光刻机市场,哈工大的创新技术展示了中国在该领域的强大研发能力和创新潜力,可能会让ASML重新评估中国在半导体设备领域的发展速度和潜力,所以有“ASML沉默”的说法。
给中芯国际带来的机遇
• 突破技术瓶颈:中芯国际作为国内领先的半导体制造企业,在向先进制程推进时,极紫外(EUV)光刻机的缺失是关键技术瓶颈。哈工大的EUV光源技术若能成功应用,有望帮助中芯国际突破7nm及以下工艺节点的技术难题。
• 提升市场竞争力:一旦有国产EUV光刻机问世,中芯国际有望凭借本土优势在全球市场与台积电等竞争,甚至在市值上实现追赶,提升其在全球半导体市场的地位。
不过,要制造出完整的顶级EUV光刻机,还需要在物镜系统、双工件台以及控制系统等多个关键组件方面取得进展,并且要解决产业化等诸多问题。