三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10 NAND产品
据韩媒报道，三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利，从其V10（第10代）NAND 开始。报道称，三星计划于2025年下半年开始大规模生产其V10 NAND，该产品预计将具有约420至430 层。V10 NAND将采用多项新技术，其中最重要的是W2W混合键合技术。
混合键合：百傲化学
刻蚀/薄膜：北方华创、中微公司、拓荆科技
检测：中科飞测
涂胶显影：芯源微
三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10NAND产品据韩媒报道，三星可能将使
知院长
2025-02-25 09:32:41
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