嘿，当全球芯片巨头为 3 纳米工艺争得不可开交时，中国科学家在实验室搞出大动静啦！哈工大宣布突破 13.5 纳米极紫外光源技术，欧美垄断二十年的核心技术，被咱用核聚变技术成功 “嫁接” 出新解法！你知道吗，2024 年 12 月 30 日，黑龙江省科技创新成果转化大赛颁奖台上，哈工大航天学院赵永蓬教授捧起省级一等奖证书，这可让 ASML 的工程师们彻夜难眠呢。这支团队从可控核聚变的 Z 箍缩技术中获得灵感，把原本用于约束高温等离子体的尖端科技，微缩成巴掌大小的放电装置。电流激发的等离子体直接迸发出 13.5 纳米极紫外光，相比荷兰 ASML 的 “激光轰锡珠” 方案，能耗降低四成，设备体积更是缩小到传统光源的三分之一。在 ASML 的光刻车间，那重达 200 吨的大家伙，得每秒精准击中五万颗锡珠，而哈工大的装置，仅靠电流调控就能稳定输出光源。参与项目的博士生指着实验室里冰箱大小的原型机说：“这就好比别人还在用蒸汽机驱动纺织机，咱们直接迈入电动机时代啦。” 更厉害的是，这项完全自主的技术路线，巧妙避开了 ASML 布下的三千多项专利封锁。在华为海思实验室，工程师们正麒麟 9100 芯片的极限，这款采用多重曝光实现的 “类 5 纳米” 芯片，良品率一直在 65% 左右徘徊。资深工艺师看着电子显微镜下的晶体管阵列，无奈比划道：“这就像用毛笔在邮票上画电路，稍微手抖一下就全白费了。” 而哈工大的极紫外光源，能让曝光精度从 “月球打靶” 提升到 “太空穿针”，理论上可将 7 纳米芯片良率提高到 90%，5 纳米工艺突破似乎近在眼前。在全球半导体版图上，中国正构建全新坐标系。中芯国际 7 纳米产线旁，工程师已经预留了 EUV 光刻机安装位；大连光源基地的极紫外自由电子激光器，单脉冲就能产生 140 万亿个光子，为光刻胶研发提供超高精度 “标尺”。更惊喜的是，哈工大团队还同步攻克了电子级金刚石制备技术，这种材料的导热速度比铜快五倍，恰恰是解决 EUV 光刻机散热难题的关键。《科技日报》2025 年 3 月 19 日头版评论称：“这可不是简单的技术替代，而是物理原理级别的创新。” 中国青年网同日发布的深度报道透露，哈工大已联合长春光机所完成 EUV 光学系统验证，反射镜表面平整度达到 0.1 纳米级，打个比方，就相当于把海南省版图缩小到镜面上，最高起伏还超不过一根头发丝。而在 ASML 总部，工程师们对着哈工大公布的实验数据陷入沉思，这项源自核聚变的技术路径，或许将改写《摩尔定律》的终章。正如《人民日报》海外版所说：“当别人在既定赛道上疯狂奔跑时，我们选择在交叉路口点燃新的火炬。”
