下半年，首条全国产化！
事件：据报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。
长江存储是中国领先的NAND闪存芯片制造商，成立于2016年，专注于3D NAND技术的研发与生产。在全球存储芯片市场，三星、SK海力士、美光等国际巨头长期占据主导地位，而长江存储的崛起使中国首次在高端存储芯片领域具备竞争力。其自主研发的Xtacking架构在存储密度和性能上已达到国际先进水平，部分产品甚至超越国外同类技术。
2022年10月，美国对华半导体制裁升级，长江存储被列入“实体清单”，导致其无法获取关键设备（如ASML的EUV光刻机）和技术支持，这一制裁严重影响了长江存储的产能扩张和技术升级，使其在先进制程，如200层以上3D NAND的研发面临挑战。
面对制裁，长江存储加速推动供应链国产化，主要包括：
1. 设备国产化：与国产刻蚀机、薄膜沉积、光刻机等设备生产商合作，逐步替代进口设备。
2. 材料自主可控：国产硅片、光刻胶等逐步导入产线。
3. 技术突破：2023年，长江存储成功研发232层3D NAND芯片。
下半年如果成功导入首条全国产化产线，这将是国内半导体产业链国产化的里程碑事件，标志着中国半导体产业在自主可控道路上迈出关键一步、全面摆脱存储产业链对海外设备、材料的依赖。
存储作为数据中心、AI、智能终端的基础组件，这一突破不仅带动整个国产半导体生态的发展，还增强了中国AI的供应链安全。
长江存储全国产化重点受益的几个分支：
1. 刻蚀设备：在3D NAND存储芯片的制造中，高深宽比刻蚀是最核心、最具挑战性的工艺之一。随着堆叠层数从最初的24层发展到目前的200层以上（如三星的236层、长江存储的232层），刻蚀技术的难度呈指数级上升。
以一条月产10万片的3D NAND产线为例，设备投资大概225亿，其中刻蚀设备占到50-60亿，占比20%-30%。
2. 薄膜沉积设备：在晶圆表面沉积导电或绝缘薄膜，3D NAND需要超过100层的堆叠。在存储设备投资中，薄膜沉积设备的价值量与刻蚀设备相当，甚至还要更高。
3. 材料领域包括大硅片、光刻胶等：硅片作为存储芯片的基底材料，需超高纯度（≥99.9999999%）和纳米级平整度，尤其是主流3D NAND产线均采用12英寸晶圆，而大硅片目前的国产化率才30%，有较大提升空间。
光刻胶方面，3D NAND需多次曝光（DUV光刻），对胶的灵敏度、分辨率要求高，光刻胶依然是高端存储领域绕不开的核心材料之一
