我国顶尖半导体教授李爱珍，申请中科院院士被淘汰，不料2007年，她竟然摇身一变成为了美国科学院的外籍院士，面对记者采访，她淡然表示：感谢祖国的栽培！ 李爱珍的人生故事，始于1936年福建石狮的一个华侨家庭。 而她的主要舞台，则聚焦在了上海冶金研究所。1958年，时年22岁的她于复旦大学化学系毕业。当时摆在她面前，本有留校任教的舒适选择，但她却毅然决然地扎进了条件极其艰苦的冶金研究所实验室。 那会儿的科研环境，可谓百废待兴：实验室里仪器设备老旧不堪，关键材料更是捉襟见肘。然而，她凭着一股不服输的韧劲，带领团队硬是利用简陋的土法子和旧设备，在半导体材料研究上啃下了一块块硬骨头。 到1984年，她带领攻克的高性能砷化镓红外光源材料，就为国家实打实地创收了736万元。这不仅解决了迫切的国家难题，更早早为中国半导体后来的腾飞奠定了坚实基础。 真正决定中国半导体命运的硬仗，却在1980年打响。那年，44岁的李爱珍以访问学者的身份前往美国卡内基梅隆大学。 在那里，她第一次近距离接触到了被西方严密封锁的“分子束外延”（MBE）设备。这玩意儿简直是制造高端芯片和光电子器件的“神器”，它能够“种”出超薄、超纯的半导体材料，却被美国列为对华禁运的头号技术——别说操作，连触碰都难。 李爱珍一眼就看清了这项技术对中国的战略意义。她在美期间，虽然无法亲手操作，却像一部行走的“记录仪”，全靠眼睛观察、靠记忆抄写，将能记下的参数、能领会的原理，一字不落地记录下来。 最终，她带回了足足三百多页的详细笔记，甚至为此磨出了满是老茧的手指。她带回来的，不是设备本身，而是能够让中国自主制造设备的“骨架”和“灵魂”。 1981年，甫一归国，她旋即马不停蹄地撰写报告，竭力主张自主研发分子束外延设备。 尽管遭受“太超前”“绝无成功可能”的质疑，李爱珍却不为所动，决然地带领团队于简陋条件下开启这项宛如“摸着石头过万丈深渊”般的研究。 数千个日日夜夜，实验室俨然成了他们的家。高温真空腔里的细微反应，稍有不慎就可能导致晶体报废；设备爆炸、参数失控、晶格畸变……失败的次数不计其数。 即便经费十分紧张，他们也绞尽脑汁，东拼西凑，同时精打细算地使用每一笔钱。凭着这股不达目的不罢休的轴劲儿，1989年，中国人自己设计、自己制造的第一台半导体分子束外延设备，在上海冶金研究所通过了国家验收！ 这个曾被西方死死“卡脖子”的“芯片制造心脏”，终于在中国大地蓬勃跳动起来。然而，她的贡献远不止于此。 她更是将分子束外延的“技术—设备—平台”全链条打通，亲自筹建固态源、气态源实验室，甚至争取到世界银行的贷款，将重点实验室升级为国家级。她几乎是靠一己之力，搭起了中国的分子束外延产业链。 进入新世纪，李爱珍团队的脚步并未停歇。2000年，他们又干了一件轰动国际学界的大事：成功研发出国际前沿的量子级联激光器（5-8微米波段）。 此情形使得中国一举跻身于全球第三个掌握该核心技术的国家之列。这项技术如同“眼睛”和“钥匙”，对红外探测、大气监测、量子通信等国家急需领域至关重要。 更令人难以置信的是，到了2023年，这位八旬高龄的科学家，依然活跃在科研最前沿，带领团队又一次成功攻克了太赫兹量子级联激光器，再次将中国推上了全球仅有三个国家掌握这项顶尖技术的舞台。 她用行动诠释了自己“这辈子也没想干别的”那股执拗，是一位真正的“工科人”，一旦认准技术，便死磕到底。 然而，就是这样一位为国家做出世界级贡献的功勋科学家，她在国内的院士之路却走得异常坎坷。 1999年，63岁的她第一次申报中国科学院院士，却因“年龄偏大”以及未能找到规定的6位院士联名推荐（实际只找到了4位），而在初选阶段便告落选。 她没有放弃，此后又在2001年、2003年和2005年连续三次冲击。她曾带着亚洲第一台量子级联激光器这样的硬核成果再度参选，却依旧被挡在门外。 最令人心疼的是2005年那次：她刚准备进答辩就病倒了，高烧住院，却仍坚持在病床上通过视频连线答辩。 可是，即便她付出如此，那年恰逢院士名额缩减，她又一次遗憾落选。除了科学院，她甚至还尝试过工程院的评选，结果也无功而返，换来的总是“名额有限”或“机制问题”的回复。 但就在同一年，2005年，她却因在半导体领域的杰出贡献荣获了第三世界科学院工程科学奖，凸显了国际学界对她成就的持续关注。 两年后的2007年5月1日，已退休多年、年届71岁的李爱珍，被美国国家科学院正式接纳为外籍院士。 这一巨大反差引发了国内各界的深思：我们的评选机制，是否在某些方面有所偏差，以至于未能将真正为国家默默奉献、做出硬核贡献的科学家及时识别出来？这，难道不是值得我们反复叩问的问题吗？
