GE航空航天公司于其坐落于纽约Niskayuna的研究中心，宣布推出第四代SiC功率MOSFET芯片。这款最新的1200V器件，其设计初衷在于提升开关速度、效率以及耐用性。

此最新一代SiC功率器件的芯片规格为5mm x 5mm，能够提供1200V的电压以及11mΩ的参数，额定温度可达200°C。通用电气宣称，鉴于行业逐渐采用先进半导体应用于混合动力和电池电动汽车（HEV和BEV）平台，这些功率器件将在效率和功率密度方面实现重大突破。该公司正积极探寻汽车行业与数据中心行业的全新合作契机。

GE航空航天公司电力系统总裁兼总经理Kris Shepherd表示：“我们最新的第四代SiC MOSFET在性能上实现了阶段性的跨越，使其在涵盖汽车、可再生能源、人工智能数据中心以及工业电力等广泛领域极具吸引力。”“这些行业有望在所有相关应用中实现效率、可靠性和功率密度的显著提升。”

此外，GE航空航天还借助其电力业务，销售基于SiC的发电、配电和转换解决方案，以支撑航空航天、船舶以及地面平台的运作。

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