SOT-227模块针对电池充电器、光伏逆变器、服务器电源和储能系统

SemiQ公司，作为一家专注于高性能与高压应用碳化硅（SiC）解决方案的美国开发商，日前拓展了其1200V第三代（Gen3）碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC mosfet）产品线，新推出了五款采用SOT - 227封装的模块，其导通电阻（RDSon）值分别为7.4、14.5和34毫欧（mΩ）。

SemiQ的GCMS模块采用了肖特基势垒二极管（SBD），在高温环境下展现出更低的开关损耗，尤其相较于未采用SBD的GCMX模块，优势更为显著。该系列产品主要面向中压、大功率转换应用领域，涵盖电池充电器、光伏逆变器、服务器电源以及储能系统等。

所有部件均经过超过1400V的晶圆级栅极氧化物烧蚀测试筛选，同时还进行了800毫焦（mJ）的雪崩测试（34毫欧模块的雪崩测试能量为330毫焦）。据悉，所有模块不仅坚固耐用，而且易于安装，具备隔离背板，可直接安装于散热器之上。其设计初衷在于提升性能与切换速度，同时最大程度降低此类应用中的能量损耗。

以7.4毫欧的GCMX007C120S1 - E1模块为例，它能够将开关损耗降至4.66毫焦（导通损耗为3.72毫焦，关断损耗为0.94毫焦），并且其体二极管反向恢复电荷为593纳库仑（nC）。这些模块的结壳热阻范围跨度较大，从7.4毫欧MOSFET模块的0.23摄氏度每瓦（°C/W）到34毫欧MOSFET模块的0.70摄氏度每瓦不等。

SemiQ公司总裁蒂莫西·汉（Timothy Han）表示：“我们第三代1200V碳化硅MOSFET系列的拓展，标志着SemiQ在为高性能电源应用提供卓越碳化硅解决方案的征程中，又树立了一个重要的里程碑。通过提供低电阻选项以及采用坚固耐用、易于安装的SOT - 227封装来丰富我们的产品组合，我们助力设计人员在各类能源与工业系统中实现更高的效率、更快的切换速度以及更高的可靠性。”

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