韩国6月存储半导体出口有望创下历史新高

6月存储半导体出口延续强劲上行势头，出口额和单价在人工智能需求及供应短缺的推动下齐步走高。特别是，随着高带宽存储器（HBM）短缺的溢出效应扩散至商品DRAM、NAND及固态硬盘（SSD），出口额超越5月纪录月度表现（371.6亿美元）的可能性正在增加。

根据韩国海关厅贸易统计（TRASS）22日数据，以2026年6月1日至20日的初步清关数据为基础，主要存储品类合计总额已超过230亿美元，达到5月全月表现的60%以上。

鉴于HBM、NAND及SSD近期月度环比大幅增长，6月存储半导体出口总额预计将达到380亿至420亿美元区间，创下超越上月纪录的历史新高。由于装运截止期限及企业财报结算期往往使月末最后十天左右表现相对强劲，随着月末临近，出货量预计将进一步攀升。

6月，所有存储半导体品类均呈现出口额与单价同步大幅上涨的格局。这反映出超越去年同期强劲表现的有利基数效应的真正增长动能，并被解读为确认人工智能存储超级周期“结构性扩张”的信号。

最引人注目的特征是，多芯片封装（MCP，即HBM）出口额环比激增51%。随着NVIDIA等全球大型科技企业持续投资人工智能数据中心（包括Colossus项目），以SK海力士为中心的高带宽存储器HBM3E及HBM4短缺状况持续存在。

由于晶圆生产集中转向HBM，商品DRAM供应相对减少。其结果是，商品DRAM单价飙升至一年前水平的约2至3倍，随着PC及移动需求复苏叠加人工智能服务器需求，出口额也大幅上升。

在存储领域，NAND闪存及SSD需求在人工智能推理服务器大规模扩建中爆发。两大品类环比上涨25%至28%，支撑了人工智能周期的持久性。

存储半导体占半导体出口总额的比重也从上月的70%区间扩大至本月的90%。存储半导体与系统半导体合计出口额达到255亿美元，6月半导体出口总额预计将落在420亿至460亿美元区间。

随着强劲业绩持续，券商机构也上调了对主要存储半导体企业的盈利预测。新韩投资证券研究员朴俊英分析称，“韩国存储产业近期凭借长期供应协议（LTA）和HBM这两大有力武器克服了这些弱点”，并补充道，“即使未来存储产业盈利下滑到来，也不会出现像过去那样经营利润严重下滑的低迷局面。”