台积电在次世代技术上的突破性进展，为后硅时代开辟了新的可能性。

台积电（2330）在次世代技术上取得了重大突破。在美国国家科学基金会的支持下，台积电与国立交通大学的研究团队合作，成功开发出高性能单层二硫化钼（MoS2）顶栅晶体管。这一晶体管突破了摩尔定律的极限，将为“后硅”时代开辟新的可能性。国家科学委员会（NSC）于昨日（6日）发布消息，宣布台积电的重要技术突破，并透露相关研究成果已刊登在国际一流学术期刊《Nature Electronics》上，以此强调该技术的重大意义。

国家科学委员会（NSC）与台积电、国立阳明大学、国立交通大学的研究团队合作，打破了二维半导体界面的瓶颈，开创了后硅时代芯片技术的新纪元。图片为二维半导体外延界面项目的示意图。（NSC提供）

业界专家指出，为了突破摩尔定律的极限，随着半导体制造工艺向1纳米以下过渡，探索新材料已成为必然路径。二硫化钼作为备受期待的新材料，预计将在比当前尺寸小约1纳米的0.7纳米（A7工艺）/CFET时代引入。应用材料（Applied Materials）、ASML、AIXTRON、ASM国际（ASM International）、泛林研磨（Lam Research）等半导体制造设备巨头公司，正积极投资研发设备和技术，以满足二硫化钼这一新材料的需求，这凸显了该材料的极高重要性。国家科学委员会解释称，从手机、电脑，到未来的AI智能设备，都需要具备高速运算处理能力和低功耗的半导体芯片。然而，传统的硅半导体技术正逐渐逼近物理极限。

因此，全世界的科学家们正在探索下一代半导体材料，而“二维半导体”被视为延续摩尔定律的关键。因为二维半导体仅具有原子级别的厚度，因此能够持续实现芯片的小型化和性能提升。国立交通大学电子物理系及中央研究院应用科学研究中心的张文浩教授团队，在国家科学委员会“下一代前瞻型半导体项目”以及“晶创台湾——下一代半导体材料及元件整合之核心技术”项目的支持下，与台积电的伊乌莉安娜·拉杜（Iuliana Radu）博士团队及国立交通大学半导体工程系李宗恩教授合作，提出了解决二维半导体长期面临的“界面问题”的方案。

张文浩表示，二维半导体未来的真正竞争将不仅限于材料本身，而是重点在于界面工程。这一技术的最大价值在于建立起可广泛应用于各种二维半导体材料的平台技术，从而实现与现有半导体工艺完全兼容的、更高速、低功耗电子元件的开发，为“后硅时代”的芯片技术奠定重要基础，并再次证明台湾在下一代半导体领域的创新力和国际竞争力。