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美国银行刚刚发布了其最新的全球存储更新,基调依然坚定地保持建设性。SK海力士的D

美国银行刚刚发布了其最新的全球存储更新,基调依然坚定地保持建设性。

SK海力士的DRAM ASP复苏预计将在第三季度加速至环比+25%,得益于第二季度相对疲软后HBM4产能爬坡的更有意义提升。

Kioxia以清算式的3.1倍估值交易,指引第三季度营收环比增长+35%,这意味着NAND ASP有近+20%的上行空间,远高于整个行业水平。

该行还预计第四季度将出现另一轮最后一刻的价格上涨。

该季度行业平均DRAM模型为环比+8%,NAND +3%,且未见硬着陆迹象。利润率被视为结构性长期高位。

现货市场已经证实了这一强劲势头。

NAND现货价格本周录得令人意外的5–6%周环比反弹(传统256Gb涨幅超过10%),而DRAM现货又增加了1–2%。

512Gb NAND晶圆的合同价格接近26美元,大约是2025年2月低点的10倍,而16Gb DDR5仍稳固地维持在中30美元至40美元区间。

在资本回报方面,三星预计通过特别股息、回购和年终支付的组合返还超过100万亿韩元(使用约50%的2024-26年FCF)。

美银还预计SK海力士将返还50%的自由现金流,重点倾向于回购。

总体信息:尽管有一些顺序性放缓,超级周期仍将持续至2027年。

2025–27年全球存储行业销售额仍预计将呈陡峭上升路径,而最近的现货反弹加上传统DRAM/NAND的供应紧张,支持了任何修正将保持温和的观点。

报告中的图表显示了8月初NAND现货价格在平淡至疲软阶段后的急剧恢复,以及现货和合同DRAM价格的持续攀升。

如果这一轨迹持续至年底,存储相关股票可能继续重新估值。