UBS：美光与存储

> BM 定价与溢价：行业混合 HBM ASP 同比上涨约 79%，HBM4E 预计将达到 >$30/GB。

> DRAM 与 NAND 合同定价：

对于 DDR，行业 C3Q 合同定价（包括 LTAs）预计环比上涨 20%，MU 具体预计在 C3Q 环比上涨 20%，在 C4Q 环比上涨 11%。

对于 NAND，行业 C3Q 合同定价预计环比上涨 20%（较之前的 28% 有所下降），MU 具体预计环比上涨 23%（较之前的 35% 有所下降）。

市场动态

> DRAM 紧缺：HBM 供需关系已超出先前预期收紧，特别是 HBM4 和 HBM4E，主要是由于持续的供应紧缺所致。

> HBM 消耗与调整：C2027 年 HBM 消耗量从 58.7B Gb 增加至 61.5B Gb，MU HBM ASP 现预计同比上涨 72%（先前为 +61%），位出货量保持大致不变，约为 ~11.65B Gb。

> NAND 与 SSD 强势：超出预期的服务器/存储 SSD 需求正在抵消 PC 和智能手机的疲软，从而保持需求背景的建设性。

> 竞争对手影响：CXMT 的 DRAM 位供应份额预计将从 C2025 年的 ~7% 上升至 C2027 年的 ~9%，尽管产能扩张被视为因良率和技术差距而有些夸大。与此同时，YMTC 正在将增量产能从 NAND 转向 DRAM，从而延长 NAND 定价周期。

$MU $DRAM $EWY $SKHY $SNDK