韩国媒体报道，台积电凭借A16节点在背面电源传输技术上获得了领先优势，在竞争中领先英特尔和三星一步。

具体而言，台积电已成功开发并验证了A16，这是业界首个采用超级电源轨（SPR）背面电源传输方案的埃级CMOS平台。

关键成就是，A16保留了现有N2P工艺（N2的增强版）中NanoFlex技术带来的栅极密度和设计灵活性。

在传统半导体芯片中，电源传输互连和信号互连都放置在芯片正面。然而，随着工艺节点缩小，二者在日益狭小空间中的竞争加剧了布线拥塞，并增加了电阻，导致电压降（或IR降）问题更加严重。

通过背面电源传输解决这些问题通常需要对晶体管布局或单元结构进行重大更改。

随着工艺节点缩小，这些挑战变得更加突出。从芯片背面供电通常要求设计师放弃部分现有单元库和设计专长。

台积电通过将其移至芯片背面，完全将电源传输网络与正面信号布线分离。电源通过专用垂直连接（VB）直接传输至每个晶体管的源极和漏极。在此过程中，台积电几乎保持了正面栅极结构、单元尺寸和布局面积不变，从而保留了与现有设计的兼容性。

相比之下，英特尔在PowerVia测试期间已修改其现有单元配置并重新设计单元架构，包括调整引脚数量和放宽金属间距要求。三星电子据报道也在其SF2工艺中引入背面电源传输，但据说很可能采用类似于英特尔的方法。

台积电的这一成就被视为一项技术，能够在降低AI加速器等产品设计复杂度的同时提升效率，这些产品需要高功率效率和强劲性能。