利基内存，华邦2029年、2030年的供应正在协商中啊

内存生产能力已确保至2030年！华邦电子因DRAM价格飙升，采取措施提前扩大生产能力。 高雄芦竹工厂的扩建计划已启动，同时模块B的开发也在推进。建设启动预计在2027年。

在AI对内存及先进封装的长期需求增长背景下，华邦电子（2344）提前启动高雄市芦竹工厂扩建计划。原计划的第二期及第三期工程将整合至模块B的同步开发中。洁净室的建设将于2027年启动，安装工程预计2029年初也将开始。

分析师指出，华邦电子在第三季度遭遇利基DRAM和SLC NAND双双供应短缺，价格较上季度上涨约50%。NOR Flash则因大型云服务提供商（CSP）客户积极囤货，导致其他用途供应受压，价格预计较上季度上涨约30%。 尽管内存芯片价格涨幅预计在第四季度缩小至2～5%，但分析师预测，随着DRAM产能提升和出货量增加，华邦电子的营收和利润将维持季度增长趋势。

华邦电子公布，第二季度合并营收达598亿4300万新台币，环比增长56.4%，同比激增184.7%。DRAM价格环比上涨约100%，闪存价格上涨约43%。合并营收毛利率升至66.2%，每股盈余（EPS）为5.40新台币。 分析师指出，基于代理的AI正推动对内存容量和先进封装的需求，此增长趋势预计将持续相当一段时间。因此，华邦电子已提前启动模块B计划。

当前计划中，模块B的建设将于2027年启动，安装最早将于2029年开始。设备将基于客户需求预测和长期协议（LTA）逐步引入。部分客户已开始协商2029年和2030年的产能事宜。

模块B的产品规划涵盖标准DRAM、CUBE DRAM、晶圆上晶圆（WoW）、硅电容（Si-Cap），预计支持14nm及未来的12nm DRAM工艺。此外，为应对AI内存及先进封装需求，还计划引入EUV曝光设备。 其中，硅电容被机构投资者视为继逻辑和内存之后的华邦电子第三个潜在增长驱动力。 华邦电子已投资约40亿新台币建设专用硅电容生产线。目前量产产品的静电容量密度约为3,300 nF/mm²，但最新样品已达约5,400 nF/mm²。该生产线主要针对AI先进封装及AI电源管理应用，分析师预计将于2027年第一季度末实现量产。