TSMC将于明年大幅扩展先进制程产能，并预计将创下历史最高销售额。

TSMC（2330）持续推进先进制程产能的强化。根据供应链消息人士透露，TSMC已明确明年2/3纳米制程的产能扩张目标。2纳米制程的产能将从今年年底的9万张增加到明年年中11万张，增长22%。3纳米制程的产能将从今年年底的超过18万张增加到明年年中21万张，增长超过16%。

TSMC通过全力运转两种先进制程技术，导致设备投资增加，并预计明年的销售额将创下历史新高。TSMC昨日（13日）对市场传闻保持沉默，并强调产能相关信息应以公司官方公告为准。

据供应链相关人士透露，TSMC近日公布了明年2/3纳米产能扩张的初步计划，并希望通过与合作伙伴的协作来实现这一目标。

TSMC的3nm制程月产能去年年底已达到12万～13万张，据报道，今年年底前将进一步扩张至18万张。2nm制程量产启动后，虽然3nm不再是TSMC的最先进制程，但市场需求依然强劲。因此，TSMC持续推进3nm制程的产能扩张，目标是到明年年中实现月产能超过21万张，在6个月内增长10%以上。这意味着从2025年底到2027年年中的一年半内，产能将增长近70%。

关于2nm制程，根据供应链信息，TSMC的月产能将于今年年底达到9万张晶圆，明年年中进一步扩张至11万张，预计在6个月内增长20%以上。

TSMC此前宣布，2026年的设备投资额将从600亿美元调整至640亿美元，其中约70%至80%将用于先进制程。目前，该公司正在台湾、美国亚利桑那州、日本增设3纳米晶圆制造工厂，同时推进台湾现有5纳米制造设备的改装，以适应3纳米制造。

TSMC持续推进A16、A14、A13、A12等2纳米以下更先进制程技术的开发。该公司最近宣布与ASML合作，推动高数值孔径极紫外线（High NA EUV）光刻技术从当前6英寸光罩向更大的12英寸光罩过渡。

TSMC在被誉为“全球半导体产业大脑”的比利时微电子研究中心imec的支持下，致力于下一代先进制程。imec与ASML及材料供应商合作，进一步推进高NA EUV光刻技术，并宣布使用行业长期采用的化学放大型光刻胶（CAR）技术，完成了22纳米间距布线的单次图案化。此外，他们还验证了与实际芯片设计非常接近的各种复杂结构，展示了成熟的CAR光刻胶技术可扩展至A14或A10等埃级世代，并可能应用于若干关键金属层和通孔层。