第4代模块提供3倍的功率循环能力和15%的高电流能力

Wolfspeed正式宣布推出其全新的1200V碳化硅（SiC）六模块功率模块，亦可称之为大功率逆变器。该公司通过融合最新且先进的第四代碳化硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）技术以及创新封装工艺，宣称此模块在工作温度条件下的功率循环能力达到竞争解决方案的三倍之多，并且在行业标准尺寸规格下，逆变器电流能力提升了15%。

Wolfspeed首席商务官Cengiz Balkas表示：“这些模块为电动汽车原始设备制造商（OEM）提供了实现技术飞跃的途径。我们借助经过验证的、全面的开关性能，成就了我们的第四代MOSFET，并且进一步运用我们的YM封装技术，显著改善了功率循环这一电源设计人员可能遭遇的重大性能阻碍之一。通过此举，我们为重型、建筑及农业车辆提供了所需的可靠性、效率和功率密度。”

新模块采用了最为先进的封装技术，涵盖烧结模连接、环氧封装材料以及铜夹互连等。在相同的占地面积下，其功率循环次数比同类产品多出3倍。在这份全新的白皮书中，您将深入了解Wolfspeed的功率循环和寿命建模方法。

相较于上一代产品，这些模块在125°C时的导通电阻（RDS（ON））降低了22%，同时在工作温度下，导通能量（EON）约降低了60%。此外，与上一代相比，软体二极管在反向恢复期间能够降低30%的开关损耗以及50%的漏源极电压（VDS）超调。

这些模块采用行业标准封装，无需进行复杂的重新设计，便可实现无缝应用，能够直接替代现有系统架构中的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）解决方案。由于组装要求更为简便，这些模块无需进行电源终端激光焊接以及复杂的冷板安装，同时保持了与传统电源生态系统的兼容性，其中包括电容器、冷却解决方案、栅极驱动器和电流传感器等。

工业和能源副总裁兼总经理Guy Moxey指出：“这些模块增强的功率循环能力和效率，能够直接转化为维护成本的降低、车辆使用寿命的延长以及能源效率的提高，切实解决了车队运营商和原始设备制造商在关注总拥有成本和可持续发展目标方面的关键问题。”

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