公司隆重推出新型的100V氮化镓（GaN）场效应管以及650V氮化镓（GaN）和高压碳化硅（SiC）器件。这些器件专为适配英伟达（NVIDIA）的800V直流人工智能（AI）架构而精心构建。

公司隆重推出新型的100V氮化镓（GaN）场效应管以及650V氮化镓（GaN）和高压碳化硅（SiC）器件。这些器件专为适配英伟达（NVIDIA）的800V直流人工智能（AI）架构而精心构建。

近日，专注于GaNFast氮化镓（GaN）和GeneSiC碳化硅（SiC）功率半导体的制造商纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣告，其在中高800V直流电压的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的研发方面取得了显著进展。此举旨在为英伟达（NVIDIA）所公布的下一代人工智能工厂计算平台的800V直流电源架构提供有力支撑。

800V直流（VDC）架构具备独特优势，它能够在数据中心电源室或其周边区域，将13.8kV交流（AC）的公用电源直接转换为800V直流电源。借助固态变压器（SSTs）和工业级整流器，该方法摒弃了多个传统的交流/直流（AC/DC）和直流/直流（DC/DC）转换阶段，从而实现了能源效率的最大化，减少了能量损耗，并提升了整个系统的可靠性。

在配电方面，800V直流配电可直接为信息技术（IT）机架供电，无需额外的交流 - 直流（AC - DC）转换级。并且，通过两个高效的直流 - 直流（DC - DC）转换级（从800V直流转换为54V/12V直流，再转换至负载点图形处理器（GPU）电压）进行降压，能够驱动诸如英伟达鲁宾超算（NVIDIA Rubin Ultra）平台等先进的基础设施。

纳微半导体全新的100V氮化镓场效应晶体管（GaN FET）针对GPU电源板上的低压直流 - 直流（DC - DC）级进行了优化设计。在满足下一代人工智能计算平台的需求方面，超高密度和热管理起着至关重要的作用。目前，合格客户可获取该产品的样品、数据表和评估板。此外，通过与力积电（Power Chip）建立的全新战略合作伙伴关系，这些高效的100V氮化镓场效应晶体管采用200mm硅基氮化镓（GaN - on - Si）工艺制造，实现了可扩展的大规模量产。

纳微半导体的650V氮化镓产品组合颇为丰富，涵盖了全新的高功率氮化镓场效应管系列，以及集成了控制、驱动、传感和内置保护功能的GaNSafe功率集成电路（IC）。这一组合确保了卓越的稳健性和可靠性，能够满足下一代人工智能基础设施对于苛刻性能和安全的要求。GaNSafe具备超快速短路保护（最大响应时间为350ns），所有引脚上均有2kV的静电放电（ESD）保护，消除了负栅极驱动，并具备可编程的旋转速率控制功能。所有这些特性仅需通过4脚进行控制，使得该封装能够像分立的氮化镓场效应管一样进行处理，无需VCC引脚。

GeneSiC专有的“沟槽辅助平面”技术能够在高温环境下实现高性能运作，为高功率、高可靠性应用提供高速、低温的运行效果。GeneSiC技术可提供从650V到6500V的宽电压范围，并且已在多个兆瓦级储能和并网逆变器项目中得以应用，其中还包括与美国能源部（DoE）的合作项目。

纳微半导体总裁兼首席执行官克里斯·亚历山大（Chris Allexandre）表示：“在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术融合的推动下，纳微半导体正在经历一场根本性的变革，致力于为全球最先进的系统提供动力支持。从电网到图形处理器（GPU），我们当前的关注重点已大幅拓展，因为我们通过差异化的高性能电源解决方案来满足人工智能工厂、智能能源基础设施和工业平台的兆瓦级需求。”

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